SLESD12.0C
IC
DFN1006-2
可供量大可议
SLESD12.0C
特性：低电容：8pF（典型值）。 反向工作电压：12V。 IEC 61000-4-2（ESD 空气放电）：±30kV。 IEC 61000-4-2（ESD 接触放电）：±30kV。 IEC 61000-4-5（雷电 8/20μs）：8A。 应用：智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
品牌
Slkor
封装
DFN1006-2
库存
6,800
货期
现货
SLESD12.0C参数
| 封装 | DFN1006-2 |
|---|---|
| 品牌 | Slkor(萨科微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 20 |
| 分类 | 静电和浪涌保护(TVS/ESD) |
|---|---|
| 库存 | 6800 |
SLESD12.0C概述
特性：低电容：8pF（典型值）。 反向工作电压：12V。 IEC 61000-4-2（ESD 空气放电）：±30kV。 IEC 61000-4-2（ESD 接触放电）：±30kV。 IEC 61000-4-5（雷电 8/20μs）：8A。 应用：智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
SLESD12.0C特性
暂无产品特性。
SLESD12.0C应用领域
暂无应用领域。