SKQ18P02AD
IC
PDFN5060-8L
可供量大可议
SKQ18P02AD
特性：20V P沟道MOSFET高密度设计。 超低导通电阻。 导通电阻RDS(ON) = 9mΩ（典型值）， 栅源电压VGS = -4.5V。 导通电阻RDS(ON) = 13mΩ（典型值）， 栅源电压VGS = -2.5V。 可靠耐用。 应用：便携式设备和电池供电系统的电源管理。 其他通用应用
品牌
SHIKUES
封装
PDFN5060-8L
库存
3,480
货期
现货
SKQ18P02AD参数
| 封装 | PDFN5060-8L |
|---|---|
| 品牌 | SHIKUES(时科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3480 |
SKQ18P02AD概述
特性：20V P沟道MOSFET高密度设计。 超低导通电阻。 导通电阻RDS(ON) = 9mΩ（典型值）， 栅源电压VGS = -4.5V。 导通电阻RDS(ON) = 13mΩ（典型值）， 栅源电压VGS = -2.5V。 可靠耐用。 应用：便携式设备和电池供电系统的电源管理。 其他通用应用
SKQ18P02AD特性
暂无产品特性。
SKQ18P02AD应用领域
暂无应用领域。