SKL36-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
SKL36-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在60V反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流能力(IFSM), 适用于对导通效率和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源极性保护等电路应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
180
货期
现货
SKL36-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
SKL36-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 额定正向电流(IF)为3A, 最大反向电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在60V反向电压下漏电流(IR)不超过100μA。 器件具备80A的非重复峰值正向浪涌电流能力(IFSM), 适用于对导通效率和瞬态耐受能力有要求的整流、续流及电源极性保护等电路应用。
SKL36-HXY特性
暂无产品特性。
SKL36-HXY应用领域
暂无应用领域。
