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SKL34-AQ-HXY
IC

SOD-123FL

可供量大可议

SKL34-AQ-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 正向平均电流(IF)为3A, 反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置下, 漏电流(IR)为100μA, 表现出良好的隔离特性。 器件具备80A的非重复浪涌正向电流(IFSM)能力, 适用于高频整流、电源转换、电池供电设备及对效率和瞬态响应有要求的电子电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOD-123FL

库存

120

货期

现货

SKL34-AQ-HXY参数

封装SOD-123FL
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存120

SKL34-AQ-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 正向平均电流(IF)为3A, 反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置下, 漏电流(IR)为100μA, 表现出良好的隔离特性。 器件具备80A的非重复浪涌正向电流(IFSM)能力, 适用于高频整流、电源转换、电池供电设备及对效率和瞬态响应有要求的电子电路中。

SKL34-AQ-HXY特性

暂无产品特性。

SKL34-AQ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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