SKL34-AQ-HXY
IC
SOD-123FL
可供量大可议
SKL34-AQ-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 正向平均电流(IF)为3A, 反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置下, 漏电流(IR)为100μA, 表现出良好的隔离特性。 器件具备80A的非重复浪涌正向电流(IFSM)能力, 适用于高频整流、电源转换、电池供电设备及对效率和瞬态响应有要求的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOD-123FL
库存
120
货期
现货
SKL34-AQ-HXY参数
| 封装 | SOD-123FL |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 120 |
SKL34-AQ-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 正向平均电流(IF)为3A, 反向重复峰值电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)为0.55V, 有助于减少导通损耗; 在反向偏置下, 漏电流(IR)为100μA, 表现出良好的隔离特性。 器件具备80A的非重复浪涌正向电流(IFSM)能力, 适用于高频整流、电源转换、电池供电设备及对效率和瞬态响应有要求的电子电路中。
SKL34-AQ-HXY特性
暂无产品特性。
SKL34-AQ-HXY应用领域
暂无应用领域。
