SK86L-HXY
IC
SMC
可供量大可议
SK86L-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有8A的正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)典型值为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC
库存
65
货期
现货
SK86L-HXY参数
| 封装 | SMC |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 65 |
SK86L-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有8A的正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.7V, 在导通状态下能有效降低功耗; 反向漏电流(IR)典型值为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达150A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、低压输出转换及高频开关电路等场景。
SK86L-HXY特性
暂无产品特性。
SK86L-HXY应用领域
暂无应用领域。
