SK84-3G-HXY
IC
SMC
可供量大可议
SK84-3G-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为0.1μA, 体现出优异的反向阻断特性。 器件适用于对效率和热管理要求较高的电源整流、低压输出转换以及高频开关电路等场景, 能够在维持稳定电气性能的同时有效降低系统能量损耗。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMC
库存
45
货期
现货
SK84-3G-HXY参数
| 封装 | SMC |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 45 |
SK84-3G-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定正向电流为8A, 最大反向电压为40V。 其正向压降典型值为0.55V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流仅为0.1μA, 体现出优异的反向阻断特性。 器件适用于对效率和热管理要求较高的电源整流、低压输出转换以及高频开关电路等场景, 能够在维持稳定电气性能的同时有效降低系统能量损耗。
SK84-3G-HXY特性
暂无产品特性。
SK84-3G-HXY应用领域
暂无应用领域。
