SK56B-LTP-HXY
IC
SMB
可供量大可议
SK56B-LTP-HXY
该肖特基二极管为独立式配置, 具有5A的平均正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下能有效降低功耗。 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达150A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源及高频逆变器等应用场景。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
35
货期
现货
SK56B-LTP-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 35 |
SK56B-LTP-HXY概述
该肖特基二极管为独立式配置, 具有5A的平均正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下能有效降低功耗。 反向漏电流(IR)在最大反向电压下不超过100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达150A的非重复浪涌正向电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源及高频逆变器等应用场景。
SK56B-LTP-HXY特性
暂无产品特性。
SK56B-LTP-HXY应用领域
暂无应用领域。
