SK50P04-P8
IC
SOP-8
可供量大可议
SK50P04-P8
特性：40V P-Channel MOSFET。 超低导通电阻。 RDS(ON) = 10mΩ（典型值）@VGS = -10V。 RDS(ON) = 14mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。 可靠耐用。 应用：笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理
品牌
SHIKUES
封装
SOP-8
库存
5
货期
现货
SK50P04-P8参数
| 封装 | SOP-8 |
|---|---|
| 品牌 | SHIKUES(时科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | SK50P04-P8 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0002 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V |
| 类型 | P沟道 |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:40V 电流:50A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
SK50P04-P8概述
特性：40V P-Channel MOSFET。 超低导通电阻。 RDS(ON) = 10mΩ（典型值）@VGS = -10V。 RDS(ON) = 14mΩ（典型值）@VGS = -4.5V。 可靠耐用。 应用：笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理
SK50P04-P8特性
- 40V P沟道MOSFET
- 超低导通电阻
- RDS(ON) = 10 m Ω(典型值), VGS = -10 V
- RDS(ON) = 14 m Ω(典型值), VGS = -4.5 V
- 可靠耐用
SK50P04-P8应用领域
- 笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的电源管理