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SK3H10SMB-HXY
IC

SMB

可供量大可议

SK3H10SMB-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.85V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的反向截止性能。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及电源管理电路, 常见于消费类电子设备、适配器以及各类低压高频应用场景中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

185

货期

现货

SK3H10SMB-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

SK3H10SMB-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.85V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的反向截止性能。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及电源管理电路, 常见于消费类电子设备、适配器以及各类低压高频应用场景中。

SK3H10SMB-HXY特性

暂无产品特性。

SK3H10SMB-HXY应用领域

暂无应用领域。

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