SK3H10SMB-HXY
IC
SMB
可供量大可议
SK3H10SMB-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.85V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的反向截止性能。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及电源管理电路, 常见于消费类电子设备、适配器以及各类低压高频应用场景中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
185
货期
现货
SK3H10SMB-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
SK3H10SMB-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有3A的额定正向电流和100V的最大反向电压。 其正向压降为0.85V, 在导通时能量损耗较低; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的反向截止性能。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能有要求的整流、续流及电源管理电路, 常见于消费类电子设备、适配器以及各类低压高频应用场景中。
SK3H10SMB-HXY特性
暂无产品特性。
SK3H10SMB-HXY应用领域
暂无应用领域。
