SK36SMB-AQ-HXY
IC
SMB
可供量大可议
SK36SMB-AQ-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为3A, 最大反向重复峰值电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向工作状态下, 漏电流(IR)不超过500μA, 具备良好的阻断能力。 器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流(IFSM), 适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类高频整流场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
180
货期
现货
SK36SMB-AQ-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
SK36SMB-AQ-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定平均正向电流(IF)为3A, 最大反向重复峰值电压(VR)达60V。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向工作状态下, 漏电流(IR)不超过500μA, 具备良好的阻断能力。 器件可承受高达70A的非重复正向浪涌电流(IFSM), 适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类高频整流场合。
SK36SMB-AQ-HXY特性
暂无产品特性。
SK36SMB-AQ-HXY应用领域
暂无应用领域。
