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SK36B-LTP-HXY
IC

SMB

可供量大可议

SK36B-LTP-HXY

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的平均正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下能有效降低功耗。 在反向偏置条件下, 最大反向漏电流(IR)为500μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源以及各类低压高频电路中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

20

货期

现货

SK36B-LTP-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存20

SK36B-LTP-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的平均正向电流(IF)和60V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.7V, 在导通状态下能有效降低功耗。 在反向偏置条件下, 最大反向漏电流(IR)为500μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和瞬态响应要求较高的电源整流、开关模式电源以及各类低压高频电路中。

SK36B-LTP-HXY特性

暂无产品特性。

SK36B-LTP-HXY应用领域

暂无应用领域。

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