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SK36AFL-HXY
IC

SMAF

可供量大可议

SK36AFL-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为3A, 最大反向电压VR达60V。 其正向压降VF典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR为100μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、电池保护电路及各类低压高效能电子设备中的续流与箝位功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMAF

库存

120

货期

现货

SK36AFL-HXY参数

封装SMAF
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存120

SK36AFL-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流IF为3A, 最大反向电压VR达60V。 其正向压降VF典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 反向漏电流IR为100μA, 表现出良好的反向阻断能力。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、电池保护电路及各类低压高效能电子设备中的续流与箝位功能。

SK36AFL-HXY特性

暂无产品特性。

SK36AFL-HXY应用领域

暂无应用领域。

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