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SK34SMB-HXY
IC

SMB

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SK34SMB-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 具有3A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下减少能量损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过500μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、低压电源转换、便携式电子设备及对效率与热管理有较高要求的电路应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

140

货期

现货

SK34SMB-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存140

SK34SMB-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 具有3A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下减少能量损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过500μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、低压电源转换、便携式电子设备及对效率与热管理有较高要求的电路应用。

SK34SMB-HXY特性

暂无产品特性。

SK34SMB-HXY应用领域

暂无应用领域。

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