SK34SMB-HXY
IC
SMB
可供量大可议
SK34SMB-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 具有3A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下减少能量损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过500μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、低压电源转换、便携式电子设备及对效率与热管理有较高要求的电路应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
140
货期
现货
SK34SMB-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 140 |
SK34SMB-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 具有3A的平均正向电流(IF)和40V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于在导通状态下减少能量损耗; 在最大反向电压下, 反向漏电流(IR)不超过500μA, 体现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、低压电源转换、便携式电子设备及对效率与热管理有较高要求的电路应用。
SK34SMB-HXY特性
暂无产品特性。
SK34SMB-HXY应用领域
暂无应用领域。
