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SK34HE3-HXY
IC

SMC

可供量大可议

SK34HE3-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有3A的额定正向电流和40V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的整流、续流及箝位电路, 常见于开关电源、便携设备充电模块及各类低压直流转换系统中。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMC

库存

90

货期

现货

SK34HE3-HXY参数

封装SMC
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存90

SK34HE3-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有3A的额定正向电流和40V的最大反向电压。 其正向压降为0.55V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达80A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和热性能要求较高的整流、续流及箝位电路, 常见于开关电源、便携设备充电模块及各类低压直流转换系统中。

SK34HE3-HXY特性

暂无产品特性。

SK34HE3-HXY应用领域

暂无应用领域。

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