SK3200AHE3-LTP-HXY
IC
SMA
可供量大可议
SK3200AHE3-LTP-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向重复电压达200V。 其正向压降典型值为0.95V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、开关模式电源输出级以及各类低压高频电路中, 能够有效提升系统整体能效与稳定性。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
5
货期
现货
SK3200AHE3-LTP-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SK3200AHE3-LTP-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流为3A, 最大反向重复电压达200V。 其正向压降典型值为0.95V, 在导通状态下具有较低的功耗表现; 反向漏电流为100μA, 表现出良好的阻断特性。 器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流, 适用于对效率和瞬态响应有一定要求的电源整流、开关模式电源输出级以及各类低压高频电路中, 能够有效提升系统整体能效与稳定性。
SK3200AHE3-LTP-HXY特性
暂无产品特性。
SK3200AHE3-LTP-HXY应用领域
暂无应用领域。
