SK3150AHE3-LTP-HXY
IC
SMA
可供量大可议
SK3150AHE3-LTP-HXY
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的平均正向电流(IF)和150V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 典型反向漏电流(IR)为100μA, 具备较低的导通损耗与良好的能效表现。 器件可承受高达70A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景, 常见于开关电源、适配器及各类高频电路中, 能够有效提升系统整体稳定性与响应能力。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
130
货期
现货
SK3150AHE3-LTP-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 130 |
SK3150AHE3-LTP-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式配置, 具有3A的平均正向电流(IF)和150V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 典型反向漏电流(IR)为100μA, 具备较低的导通损耗与良好的能效表现。 器件可承受高达70A的正向浪涌电流(IFSM), 适用于对效率和热性能要求较高的整流与续流场景, 常见于开关电源、适配器及各类高频电路中, 能够有效提升系统整体稳定性与响应能力。
SK3150AHE3-LTP-HXY特性
暂无产品特性。
SK3150AHE3-LTP-HXY应用领域
暂无应用领域。
