SK26-LTP-HXY
IC
SMB
可供量大可议
SK26-LTP-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流为2A, 最大反向重复峰值电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 最大漏电流为500μA, 体现出良好的阻断能力。 器件可承受高达50A的非重复正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备中的极性保护以及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
180
货期
现货
SK26-LTP-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
SK26-LTP-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 额定平均正向电流为2A, 最大反向重复峰值电压为60V。 其正向压降典型值为0.7V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 最大漏电流为500μA, 体现出良好的阻断能力。 器件可承受高达50A的非重复正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、开关电源输出级、电池供电设备中的极性保护以及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。
SK26-LTP-HXY特性
暂无产品特性。
SK26-LTP-HXY应用领域
暂无应用领域。
