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SK210HE3-LTP-HXY
IC

SMB

可供量大可议

SK210HE3-LTP-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 具有2A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在100V反向电压下漏电流(IR)最大为100μA。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。 凭借较低的导通损耗和较快的开关特性, 适用于高频整流、电源转换、适配器以及各类电子设备中的续流、保护和箝位功能。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMB

库存

180

货期

现货

SK210HE3-LTP-HXY参数

封装SMB
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 10
分类肖特基二极管
库存180

SK210HE3-LTP-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 具有2A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在100V反向电压下漏电流(IR)最大为100μA。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。 凭借较低的导通损耗和较快的开关特性, 适用于高频整流、电源转换、适配器以及各类电子设备中的续流、保护和箝位功能。

SK210HE3-LTP-HXY特性

暂无产品特性。

SK210HE3-LTP-HXY应用领域

暂无应用领域。

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