SK210HE3-LTP-HXY
IC
SMB
可供量大可议
SK210HE3-LTP-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 具有2A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在100V反向电压下漏电流(IR)最大为100μA。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。 凭借较低的导通损耗和较快的开关特性, 适用于高频整流、电源转换、适配器以及各类电子设备中的续流、保护和箝位功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMB
库存
180
货期
现货
SK210HE3-LTP-HXY参数
| 封装 | SMB |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
SK210HE3-LTP-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 具有2A的平均正向电流(IF)和100V的反向重复峰值电压(VR)。 其正向压降(VF)典型值为0.85V, 在100V反向电压下漏电流(IR)最大为100μA。 器件可承受高达50A的非重复浪涌正向电流(IFSM)。 凭借较低的导通损耗和较快的开关特性, 适用于高频整流、电源转换、适配器以及各类电子设备中的续流、保护和箝位功能。
SK210HE3-LTP-HXY特性
暂无产品特性。
SK210HE3-LTP-HXY应用领域
暂无应用领域。
