SK14-AQ-HXY
IC
SMA
可供量大可议
SK14-AQ-HXY
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 表现出合理的关断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对瞬态耐受能力有要求的整流、续流或电源极性保护等电路场合。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
185
货期
现货
SK14-AQ-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 185 |
SK14-AQ-HXY概述
该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 表现出合理的关断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对瞬态耐受能力有要求的整流、续流或电源极性保护等电路场合。
SK14-AQ-HXY特性
暂无产品特性。
SK14-AQ-HXY应用领域
暂无应用领域。
