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SK14-AQ-HXY
IC

SMA

可供量大可议

SK14-AQ-HXY

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 表现出合理的关断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对瞬态耐受能力有要求的整流、续流或电源极性保护等电路场合。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

185

货期

现货

SK14-AQ-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存185

SK14-AQ-HXY概述

该肖特基二极管为独立式结构, 额定正向电流(IF)为1A, 最大反向电压(VR)为40V。 其正向压降(VF)典型值为0.55V, 有助于减少导通状态下的功率损耗; 反向漏电流(IR)为500μA, 表现出合理的关断特性。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于对瞬态耐受能力有要求的整流、续流或电源极性保护等电路场合。

SK14-AQ-HXY特性

暂无产品特性。

SK14-AQ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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