SK12N65B-TF
IC
TO-220F
可供量大可议
SK12N65B-TF
特性：符合RoHS标准。 典型导通电阻RDS(ON) = 0.60Ω， 栅源电压VGS = 10V。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。 应用：适配器。 充电器
品牌
SHIKUES
封装
TO-220F
库存
3
货期
现货
SK12N65B-TF参数
| 封装 | TO-220F |
|---|---|
| 品牌 | SHIKUES(时科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 3 |
SK12N65B-TF概述
特性：符合RoHS标准。 典型导通电阻RDS(ON) = 0.60Ω， 栅源电压VGS = 10V。 低栅极电荷， 可降低开关损耗。 快速恢复体二极管。 应用：适配器。 充电器
SK12N65B-TF特性
暂无产品特性。
SK12N65B-TF应用领域
暂无应用领域。