SK110-AQ-HXY
IC
SMA
可供量大可议
SK110-AQ-HXY
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源转换及保护电路等场景, 在确保电气性能稳定的同时提升系统效率。
品牌
HXY MOSFET
封装
SMA
库存
180
货期
现货
SK110-AQ-HXY参数
| 封装 | SMA |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 肖特基二极管 |
|---|---|
| 库存 | 180 |
SK110-AQ-HXY概述
该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源转换及保护电路等场景, 在确保电气性能稳定的同时提升系统效率。
SK110-AQ-HXY特性
暂无产品特性。
SK110-AQ-HXY应用领域
暂无应用领域。
