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SK110-AQ-HXY
IC

SMA

可供量大可议

SK110-AQ-HXY

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源转换及保护电路等场景, 在确保电气性能稳定的同时提升系统效率。

品牌

HXY MOSFET

封装

SMA

库存

180

货期

现货

SK110-AQ-HXY参数

封装SMA
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类肖特基二极管
库存180

SK110-AQ-HXY概述

该肖特基二极管采用独立式结构, 具有1A的额定正向电流(IF)和100V的最大反向电压(VR)。 其正向压降(VF)为0.85V, 有助于降低导通损耗; 在反向偏置条件下, 漏电流(IR)为100μA, 表现出良好的阻断能力。 器件可承受高达30A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM), 适用于高频整流、电源转换及保护电路等场景, 在确保电气性能稳定的同时提升系统效率。

SK110-AQ-HXY特性

暂无产品特性。

SK110-AQ-HXY应用领域

暂无应用领域。

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