SIZF5302DT-T1-RE3
IC
PowerPAIR3x3FS
可供量大可议
SIZF5302DT-T1-RE3
特性：采用TrenchFET Gen V功率MOSFET。 对称双N沟道。 倒装芯片技术实现优化热设计。 高端和低端MOSFET为50%占空比形成优化组合。 优化的RDS-Qg和RDS-Qg-FOM提升高频开关效率。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：同步降压。 计算机/服务器外设
品牌
VISHAY
封装
PowerPAIR3x3FS
库存
1
货期
现货
SIZF5302DT-T1-RE3参数
| 封装 | PowerPAIR3x3FS |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SIZF5302DT-T1-RE3概述
特性：采用TrenchFET Gen V功率MOSFET。 对称双N沟道。 倒装芯片技术实现优化热设计。 高端和低端MOSFET为50%占空比形成优化组合。 优化的RDS-Qg和RDS-Qg-FOM提升高频开关效率。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：同步降压。 计算机/服务器外设
SIZF5302DT-T1-RE3特性
暂无产品特性。
SIZF5302DT-T1-RE3应用领域
暂无应用领域。