SIZ998DT-T1-GE3
IC
PowerPAlR6x5
可供量大可议
SIZ998DT-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 SkyFET低端MOSFET， 集成肖特基二极管。 100% Rg和UIS测试。 应用：CPU核心电源。 计算机/服务器外设
品牌
VISHAY
封装
PowerPAlR6x5
库存
709
货期
现货
SIZ998DT-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAlR6x5 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 709 |
SIZ998DT-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 SkyFET低端MOSFET， 集成肖特基二极管。 100% Rg和UIS测试。 应用：CPU核心电源。 计算机/服务器外设
SIZ998DT-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIZ998DT-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。