SIZ980DT-T1-GE3
自营可供
IC
PowerWDFN-8
SIZ980DT-T1-GE3
MOSFET-阵列-2-个-N-通道（双）-肖特基-30V-20A-Tc-, -60A-Tc-20W, -66W-表面贴装型-8-PowerPair®
品牌
VISHAY
封装
PowerWDFN-8
交期
现货
批次
21+
SIZ980DT-T1-GE3参数
| 封装 | PowerWDFN-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| 批次 | 21+ |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 输入电容(Ciss) | 930pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30,275 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 66W |
| 栅极电荷量(Qg) | 5.4nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF |
| 类型 | N沟道 |
SIZ980DT-T1-GE3概述
MOSFET-阵列-2-个-N-通道（双）-肖特基-30V-20A-Tc-, -60A-Tc-20W, -66W-表面贴装型-8-PowerPair®