SIZ322DT-T1-GE3-VB
IC
DFN-8(3x3)
可供量大可议
SIZ322DT-T1-GE3-VB
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(3X3)-C； N+N—Channel沟道； 30V； 35A； RDS(ON)=9(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=1.7V； 采用Trench技术
品牌
VBsemi
封装
DFN-8(3x3)
库存
50
货期
现货
SIZ322DT-T1-GE3-VB参数
| 封装 | DFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 50 |
SIZ322DT-T1-GE3-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； DFN8(3X3)-C； N+N—Channel沟道； 30V； 35A； RDS(ON)=9(mΩ)@VGS=10V； VGS=±20V； Vth=1.7V； 采用Trench技术
SIZ322DT-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SIZ322DT-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。