SIZ256DT-T1-GE3
IC
PowerPAIR-8(3.3x3.3)
可供量大可议
SIZ256DT-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV power MOSFETs。 100% Rg and UIS tested。 Integrated MOSFET half bridge power stage。 Optimized Qgs / Qgs ratio improves switching characteristics。 应用：POL Synchronous buck converter。 Telecom DC/DC
品牌
VISHAY
封装
PowerPAIR-8(3.3x3.3)
库存
16
货期
现货
SIZ256DT-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAIR-8(3.3x3.3) |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 16 |
SIZ256DT-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV power MOSFETs。 100% Rg and UIS tested。 Integrated MOSFET half bridge power stage。 Optimized Qgs / Qgs ratio improves switching characteristics。 应用：POL Synchronous buck converter。 Telecom DC/DC
SIZ256DT-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIZ256DT-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。