SIUD412ED-T1-GE3
IC
PowerPAK0806-3
可供量大可议
SIUD412ED-T1-GE3
特性：TrenchFET功率MOSFET。 超小尺寸：0.8mm×0.6mm。 超薄厚度：最大0.4mm。 典型ESD保护：1500V（HBM）。 1.2V额定RDS(on)。 100% Rg测试。 应用：负载开关。 高速开关
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK0806-3
库存
385
货期
现货
SIUD412ED-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK0806-3 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 385 |
SIUD412ED-T1-GE3概述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 超小尺寸：0.8mm×0.6mm。 超薄厚度：最大0.4mm。 典型ESD保护：1500V（HBM）。 1.2V额定RDS(on)。 100% Rg测试。 应用：负载开关。 高速开关
SIUD412ED-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIUD412ED-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。