SIT10C065-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
SIT10C065-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A, 具备较强的瞬态电流承受能力。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频工作时表现出极低的开关损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源、功率因数校正电路以及对能量转换效率和系统紧凑性有较高要求的电子设备中的整流与续流功能。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
17
货期
现货
SIT10C065-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 17 |
SIT10C065-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为10A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 正向压降(VF)典型值为1.5V, 反向漏电流(IR)为60μA。 其非重复浪涌正向电流(IFSM)可达90A, 具备较强的瞬态电流承受能力。 基于碳化硅材料的特性, 器件在高频工作时表现出极低的开关损耗和优异的热稳定性, 适用于高效率电源、功率因数校正电路以及对能量转换效率和系统紧凑性有较高要求的电子设备中的整流与续流功能。
SIT10C065-HXY特性
暂无产品特性。
SIT10C065-HXY应用领域
暂无应用领域。
