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SIT08C065-HXY
IC

TO-220C-2L

可供量大可议

SIT08C065-HXY

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.38V, 可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 基于碳化硅材料特性, 器件在高频开关条件下具有较低的导通损耗和快速恢复性能, 适用于高效率电源转换场合, 如开关电源、功率因数校正电路及高频整流等应用。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C-2L

库存

24

货期

现货

SIT08C065-HXY参数

封装TO-220C-2L
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类碳化硅二极管
库存24

SIT08C065-HXY概述

该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.38V, 可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 基于碳化硅材料特性, 器件在高频开关条件下具有较低的导通损耗和快速恢复性能, 适用于高效率电源转换场合, 如开关电源、功率因数校正电路及高频整流等应用。

SIT08C065-HXY特性

暂无产品特性。

SIT08C065-HXY应用领域

暂无应用领域。

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