SIT08C065-HXY
IC
TO-220C-2L
可供量大可议
SIT08C065-HXY
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.38V, 可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 基于碳化硅材料特性, 器件在高频开关条件下具有较低的导通损耗和快速恢复性能, 适用于高效率电源转换场合, 如开关电源、功率因数校正电路及高频整流等应用。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C-2L
库存
24
货期
现货
SIT08C065-HXY参数
| 封装 | TO-220C-2L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 碳化硅二极管 |
|---|---|
| 库存 | 24 |
SIT08C065-HXY概述
该碳化硅二极管采用独立式配置, 额定正向电流(IF)为8A, 最大反向重复电压(VR)为650V, 典型正向压降(VF)为1.38V, 可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流(IFSM)。 基于碳化硅材料特性, 器件在高频开关条件下具有较低的导通损耗和快速恢复性能, 适用于高效率电源转换场合, 如开关电源、功率因数校正电路及高频整流等应用。
SIT08C065-HXY特性
暂无产品特性。
SIT08C065-HXY应用领域
暂无应用领域。
