SISS73DN-T1-GE3
IC
PowerPAK1212-8S
可供量大可议
SISS73DN-T1-GE3
特性：TrenchFET with ThunderFET technology。 极低的RDS(on)可将传导产生的功率损耗降至最低。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：有源钳位。 电池和电路保护
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK1212-8S
库存
1,995
货期
现货
SISS73DN-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK1212-8S |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1995 |
SISS73DN-T1-GE3概述
特性：TrenchFET with ThunderFET technology。 极低的RDS(on)可将传导产生的功率损耗降至最低。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：有源钳位。 电池和电路保护
SISS73DN-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SISS73DN-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。