SISS64DN-T1-GE3
IC
PowerPAK1212-8S
可供量大可议
SISS64DN-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 优化Qg、Qgd和Qgd / Qgs比率， 降低开关相关功率损耗。 符合RoHS标准。 100%进行Rg和UIS测试。 无卤。 应用：同步整流。 高功率密度DC/DC VRMs和嵌入式DC/DC
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK1212-8S
库存
28
货期
现货
SISS64DN-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK1212-8S |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 28 |
SISS64DN-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 优化Qg、Qgd和Qgd / Qgs比率， 降低开关相关功率损耗。 符合RoHS标准。 100%进行Rg和UIS测试。 无卤。 应用：同步整流。 高功率密度DC/DC VRMs和嵌入式DC/DC
SISS64DN-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SISS64DN-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。