SISS61DN-T1-GE3-VB
IC
DFN3x3-8
可供量大可议
SISS61DN-T1-GE3-VB
DFN8(3X3)； P—Channel沟道, -20V； -52A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=16V； Vth=-1~-2.2V
Brand
VBsemi
Package
DFN3x3-8
Stock
10
货期
现货
SISS61DN-T1-GE3-VBParameters
| 封装 | DFN3x3-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SISS61DN-T1-GE3-VB概述
DFN8(3X3)； P—Channel沟道, -20V； -52A； RDS(ON)=4mΩ@VGS=10V, VGS=16V； Vth=-1~-2.2V
SISS61DN-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SISS61DN-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。