SISS5110DN-T1-GE3
IC
PowerPAK1212-8S
可供量大可议
SISS5110DN-T1-GE3
N沟道100V（D - S）MOSFET， 采用TrenchFET GenV技术， 低Rps x Qg和Rps x Qoss优值
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK1212-8S
库存
8
货期
现货
SISS5110DN-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK1212-8S |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 8 |
SISS5110DN-T1-GE3概述
N沟道100V（D - S）MOSFET， 采用TrenchFET GenV技术， 低Rps x Qg和Rps x Qoss优值
SISS5110DN-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SISS5110DN-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。