SISS30DN-T1-GE3
IC
PowerPAK1212-8S
可供量大可议
SISS30DN-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行调整。 100% Rg和UIS测试。 应用：同步整流。 初级侧开关
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK1212-8S
库存
5
货期
现货
SISS30DN-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK1212-8S |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SISS30DN-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 极低的RDS-Qg品质因数（FOM）。 针对最低的RDS-Qoss FOM进行调整。 100% Rg和UIS测试。 应用：同步整流。 初级侧开关
SISS30DN-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SISS30DN-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。