SISS26DN-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SISS26DN-T1-GE3-HXY
这款N沟道场效应管专为高功率密度设计, 其60V耐压值在低压供电系统中提供了充裕的安全余量。 核心优势在于极低的4mΩ导通电阻, 配合100A的持续电流处理能力, 能有效抑制大电流下的热损耗。 这种低阻抗特性使其非常适合作为DC-DC转换器的主开关管, 或是用于电池保护板及电机驱动回路中, 确保在频繁切换的高负载工况下维持系统的高效与稳定。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
47
货期
现货
SISS26DN-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 47 |
SISS26DN-T1-GE3-HXY概述
这款N沟道场效应管专为高功率密度设计, 其60V耐压值在低压供电系统中提供了充裕的安全余量。 核心优势在于极低的4mΩ导通电阻, 配合100A的持续电流处理能力, 能有效抑制大电流下的热损耗。 这种低阻抗特性使其非常适合作为DC-DC转换器的主开关管, 或是用于电池保护板及电机驱动回路中, 确保在频繁切换的高负载工况下维持系统的高效与稳定。
SISS26DN-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SISS26DN-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。
