SISS02DN-T1-GE3
IC
PowerPAK1212-8S
可供量大可议
SISS02DN-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 在紧凑且散热增强的封装中具有极低的RDS(on)。 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率可降低与开关相关的功率损耗。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：同步整流。 同步降压转换器
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK1212-8S
库存
1,993
货期
现货
SISS02DN-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK1212-8S |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1993 |
SISS02DN-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 在紧凑且散热增强的封装中具有极低的RDS(on)。 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率可降低与开关相关的功率损耗。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：同步整流。 同步降压转换器
SISS02DN-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SISS02DN-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。