SISB46DN-T1-GE3-HXY
IC
DFN3x3-8L
可供量大可议
SISB46DN-T1-GE3-HXY
SISB46DN-T1-GE3 是一款高性能N+N沟道MOSFET， 采用超小型DFN3X3-8L封装， 旨在满足现代紧凑型电路设计要求。 器件特性包括最高漏源电压(VDSS)可达40V， 提供40A的强大连续漏极电流(ID)， 尤其出色的是其仅为7.2mΩ的超低导通电阻(RD(on))， 在高电流传输时有效减少功耗， 提高能源效率。 这款MOS管广泛应用在电源转换等领域的高频开关和大电流控制场合， 是高效、节能解决方案的理想之选。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN3x3-8L
库存
312
货期
现货
SISB46DN-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN3x3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 312 |
SISB46DN-T1-GE3-HXY概述
SISB46DN-T1-GE3 是一款高性能N+N沟道MOSFET， 采用超小型DFN3X3-8L封装， 旨在满足现代紧凑型电路设计要求。 器件特性包括最高漏源电压(VDSS)可达40V， 提供40A的强大连续漏极电流(ID)， 尤其出色的是其仅为7.2mΩ的超低导通电阻(RD(on))， 在高电流传输时有效减少功耗， 提高能源效率。 这款MOS管广泛应用在电源转换等领域的高频开关和大电流控制场合， 是高效、节能解决方案的理想之选。
SISB46DN-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SISB46DN-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。