SISA96DN-T1-GE3-MS
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SISA96DN-T1-GE3-MS
此款SISA96DN-T1-GE3-MS是一款N沟道MOS管， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 专为现代电子设备的小型化和高性能需求打造。 该器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下工作， 提供50A的连续漏极电流(ID)， 展现出卓越的电流处理能力。 其导通电阻(RD(on))低至7.5mΩ， 有效降低了功率损耗， 提升了电路效率， 广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等高要求应用场景， 是您实现高效节能设计的理想半导体元件。
品牌
MSKSEMI
封装
DFN-8L(3x3)
库存
720
货期
现货
SISA96DN-T1-GE3-MS参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | MSKSEMI(美森科) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 720 |
SISA96DN-T1-GE3-MS概述
此款SISA96DN-T1-GE3-MS是一款N沟道MOS管， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 专为现代电子设备的小型化和高性能需求打造。 该器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下工作， 提供50A的连续漏极电流(ID)， 展现出卓越的电流处理能力。 其导通电阻(RD(on))低至7.5mΩ， 有效降低了功率损耗， 提升了电路效率， 广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等高要求应用场景， 是您实现高效节能设计的理想半导体元件。
SISA96DN-T1-GE3-MS特性
暂无产品特性。
SISA96DN-T1-GE3-MS应用领域
暂无应用领域。