SISA96DN-T1-GE3-HXY
IC
DFN3x3-8L
可供量大可议
SISA96DN-T1-GE3-HXY
SISA96DN-T1-GE3 是一款N沟道MOS管， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 专为现代电子设备的小型化和高性能需求打造。 该器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下工作， 提供50A的连续漏极电流(ID)， 展现出卓越的电流处理能力。 其导通电阻(RD(on))低至7.5mΩ， 有效降低了功率损耗， 提升了电路效率， 广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等高要求应用场景， 是您实现高效节能设计的理想半导体元件。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN3x3-8L
库存
265
货期
现货
SISA96DN-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN3x3-8L |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 265 |
SISA96DN-T1-GE3-HXY概述
SISA96DN-T1-GE3 是一款N沟道MOS管， 采用紧凑型DFN3X3-8L封装， 专为现代电子设备的小型化和高性能需求打造。 该器件能在30V的最大漏源电压(VDSS)下工作， 提供50A的连续漏极电流(ID)， 展现出卓越的电流处理能力。 其导通电阻(RD(on))低至7.5mΩ， 有效降低了功率损耗， 提升了电路效率， 广泛应用于电源转换、负载开关、电池管理系统等高要求应用场景， 是您实现高效节能设计的理想半导体元件。
SISA96DN-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SISA96DN-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。