SISA84DN-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SISA84DN-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至4毫欧。 器件采用标准封装结构， 适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景。 其低RDS(ON)特性有助于减少发热， 提升系统整体能效， 适合用于高频率开关操作及大电流负载的应用环境。 由于具备良好的热稳定性和电气性能， 可满足多种电子设备中功率转换与控制的需求。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
85
货期
现货
SISA84DN-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 85 |
SISA84DN-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET具有60A的连续漏极电流能力， 最大漏源电压为30V， 导通电阻低至4毫欧。 器件采用标准封装结构， 适用于对导通损耗和效率要求较高的电源管理场景。 其低RDS(ON)特性有助于减少发热， 提升系统整体能效， 适合用于高频率开关操作及大电流负载的应用环境。 由于具备良好的热稳定性和电气性能， 可满足多种电子设备中功率转换与控制的需求。
SISA84DN-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SISA84DN-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。