SISA40DN-T1-GE3-VB
IC
DFN3x3-8
可供量大可议
SISA40DN-T1-GE3-VB
DFN8(3X3)； N—Channel沟道, 20V； 58A； RDS(ON)=5.5mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.5~1.5V
品牌
VBsemi
封装
DFN3x3-8
库存
1
货期
现货
SISA40DN-T1-GE3-VB参数
| 封装 | DFN3x3-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SISA40DN-T1-GE3-VB概述
DFN8(3X3)； N—Channel沟道, 20V； 58A； RDS(ON)=5.5mΩ@VGS=4.5V, VGS=12V； Vth=0.5~1.5V
SISA40DN-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SISA40DN-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。