SISA34DN-T1-GE3-HXY

该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和40A的连续漏极电流（ID）， 在驱动电压条件下导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。 其高电流承载能力与极低导通损耗特性， 适用于大功率电源转换、电池管理系统及高效率开关电路等场合。 器件在高频工作状态下仍能保持较低的温升， 有助于提升系统整体能效， 并满足对紧凑布局和散热性能要求较高的电子设备需求。