SISA18BDN-T1-GE3-HXY

该N沟道场效应管（MOSFET）具有40A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。 其低导通电阻有助于有效降低导通状态下的功率损耗， 提升系统整体效率。 30V的耐压水平适用于多种中低压电源架构， 在开关电源、电池供电设备、电机控制及高效能电子负载等应用中， 能够实现稳定可靠的开关性能和良好的热表现。