SISA14DN-T1-GE3
IC
可供量大可议
SISA14DN-T1-GE3
3.57W(Ta)， 26.5W(Tc) 20V， 16V 2.2V@ 250µA 29nC@ 10 V 1个N沟道 30V 5.1mΩ@ 10A, 10V 20A 1.45nF@15V 贴片安装
品牌
VISHAY
封装
库存
2,904
货期
现货
SISA14DN-T1-GE3参数
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2904 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 品牌 | VISHAY/威世 |
|---|---|
| 批次 | 2510+ |
SISA14DN-T1-GE3概述
3.57W(Ta)， 26.5W(Tc) 20V， 16V 2.2V@ 250µA 29nC@ 10 V 1个N沟道 30V 5.1mΩ@ 10A, 10V 20A 1.45nF@15V 贴片安装
SISA14DN-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SISA14DN-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。