SISA10BDN-T1-GE3-HXY
IC
DFN-8L(3x3)
可供量大可议
SISA10BDN-T1-GE3-HXY
该N沟道MOSFET支持100A的连续漏极电流（ID）， 漏源击穿电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）低至2.5mΩ。 凭借极低的导通阻抗， 器件在高电流应用中可有效抑制功率损耗与温升， 适用于高效电源转换、大电流开关电路及电机驱动等场景。 其电气特性有利于提升系统整体效率， 并在紧凑型设计中实现良好的热管理表现。
品牌
HXY MOSFET
封装
DFN-8L(3x3)
库存
63
货期
现货
SISA10BDN-T1-GE3-HXY参数
| 封装 | DFN-8L(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 63 |
SISA10BDN-T1-GE3-HXY概述
该N沟道MOSFET支持100A的连续漏极电流（ID）， 漏源击穿电压（VDSS）为30V， 导通电阻（RDS(ON)）低至2.5mΩ。 凭借极低的导通阻抗， 器件在高电流应用中可有效抑制功率损耗与温升， 适用于高效电源转换、大电流开关电路及电机驱动等场景。 其电气特性有利于提升系统整体效率， 并在紧凑型设计中实现良好的热管理表现。
SISA10BDN-T1-GE3-HXY特性
暂无产品特性。
SISA10BDN-T1-GE3-HXY应用领域
暂无应用领域。