SISA01DN-T1-GE3
IC
PowerPAK1212-8
可供量大可议
SISA01DN-T1-GE3
特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 在紧凑的符合RoHS标准且散热增强的无卤封装中提供极低的RDS(ON)。 实现更高的功率密度。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：移动设备中的电池管理。 适配器和充电器开关
品牌
VISHAY
封装
PowerPAK1212-8
库存
1
货期
现货
SISA01DN-T1-GE3参数
| 封装 | PowerPAK1212-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
SISA01DN-T1-GE3概述
特性：TrenchFET Gen IV p沟道功率MOSFET。 在紧凑的符合RoHS标准且散热增强的无卤封装中提供极低的RDS(ON)。 实现更高的功率密度。 100%进行Rg和UIS测试。 应用：移动设备中的电池管理。 适配器和充电器开关
SISA01DN-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SISA01DN-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。