SIS903DN-T1-GE3-VB
IC
DFN3x3-8
可供量大可议
SIS903DN-T1-GE3-VB
DFN8(3X3)； 2个P—Channel沟道, -30V； -6.4A； RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
品牌
VBsemi
封装
DFN3x3-8
库存
5
货期
现货
SIS903DN-T1-GE3-VB参数
| 封装 | DFN3x3-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 5 |
SIS903DN-T1-GE3-VB概述
DFN8(3X3)； 2个P—Channel沟道, -30V； -6.4A； RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-3V
SIS903DN-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SIS903DN-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。