SIS892ADN-T1-GE3
IC
Power-PAK-1212-8
可供量大可议
SIS892ADN-T1-GE3
特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 能够以5V栅极驱动运行。 应用：电信模块。 初级侧开关
品牌
VISHAY
封装
Power-PAK-1212-8
库存
60
货期
现货
SIS892ADN-T1-GE3参数
| 封装 | Power-PAK-1212-8 |
|---|---|
| 品牌 | VISHAY(威世) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 60 |
SIS892ADN-T1-GE3概述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg和UIS测试。 能够以5V栅极驱动运行。 应用：电信模块。 初级侧开关
SIS892ADN-T1-GE3特性
暂无产品特性。
SIS892ADN-T1-GE3应用领域
暂无应用领域。