SIS890DN-T1-GE3-VB
IC
QFN-8(3x3)
可供量大可议
SIS890DN-T1-GE3-VB
QFN8(3X3)； N—Channel沟道, 100V； 35.3A； RDS(ON)=17.4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2`4V
品牌
VBsemi
封装
QFN-8(3x3)
库存
10
货期
现货
SIS890DN-T1-GE3-VB参数
| 封装 | QFN-8(3x3) |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10 |
SIS890DN-T1-GE3-VB概述
QFN8(3X3)； N—Channel沟道, 100V； 35.3A； RDS(ON)=17.4mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=2`4V
SIS890DN-T1-GE3-VB特性
暂无产品特性。
SIS890DN-T1-GE3-VB应用领域
暂无应用领域。