SIS782DN-T1-GE3-HXY

该N沟道MOSFET具备35A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS）， 在栅源电压驱动下导通电阻（RDS(ON)）为7.5mΩ。 其低导通阻抗有助于减少功率损耗， 提升系统效率， 适用于电源管理、电池供电设备、电机控制及各类高频率开关电路中， 能够在紧凑布局下维持良好的热性能与电气稳定性。